傳高通將在八月11日正式發表 Snapdragon 820 晶片詳細規格

早在今年三月 MWC 展就發佈 Snapdragon 820 晶片的時程，從六月份這篇「Snapdragon 820 晶片效能曝光，直逼 Galaxy S6 的 Exynos 7420」之後再也沒有更新的消息。
不過下周高通終於有動作了。時間確定會在 8 月 11 日，將在洛杉磯舉辦發表會。截至目前為止，市場傳聞 Snapdragon 820 會使用高通製的 Kryo 核心，這讓人聯想到目前也是以高通客製化製作，Krait CPU 核心的 Snapdragon 805。
至於承受易過熱之苦，要透過降頻才能安全運作的 Snapdragon 810 乃是採用安謀的 big.LITTLE 架構，很明顯的會被高通打入冷宮（註：Snapdragon 808 也是 big.LITTLE 架構）。
也就是說接下來手機廠、消費者可以期待 Snapdragon 820 這款晶片，它將是今年年底或 2016 年初旗艦手機的標準；四核心 CPU、Adreno 530 GPU、MDM9x55 LTE Cat.10 數據晶片、FinFET（鰭式場效電晶體）製程。


[圖擷取自網路，如有疑問請私訊]

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